AMD公司的研发人员在实验室内成功开发一种高性能的晶体管，其性能比目前公认的高性能PMOS晶体管高30%，这种晶体管采用AMD专有的技术，其中包括一般称为单元全耗尽的绝缘硅（SOI）技术。
在另一相关的研究中，AMD的研发人员利用金属栅成功开发一种受压（strained）硅片晶体管，其性能比传统的受压硅片晶体管高20至25%，为业界创下新的晶体管性能标准。网址：www.vlsisymposium.org。
在另一相关的研究中，AMD的研发人员利用金属栅成功开发一种受压（strained）硅片晶体管，其性能比传统的受压硅片晶体管高20至25%，为业界创下新的晶体管性能标准。网址：www.vlsisymposium.org。
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